ไทย 
SC-3GA-3
YIM
| จำนวน： | |
|---|---|
เซลล์แสงอาทิตย์ GaAs สามทางแยก
เซลล์แสงอาทิตย์แบบสามแยก GaAs ประกอบด้วยเซลล์ด้านล่างของเจอร์เมเนียม (Ge) เซลล์ตรงกลางของอินเดียมแกลเลียมอาร์เซนิก (InGaAs) และเซลล์บนสุดของแกลเลียมอินเดียมฟอสฟอรัส (GaInP2) ที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมโดยมีโครงสร้างเซลล์แบบ n/p
ประสิทธิภาพการแปลงตาแมวโดยทั่วไปคือ 30% และขนาดทั่วไปคือ 80.0 มม. x 40.0 มม. x 0.155 มม.
ครอบแก้ว
กระจกครอบทำจากกระจกครอบกันรังสีที่มีการชุบไอฟิล์ม MgF2 บนพื้นผิว ความกว้างของขอบข้อบกพร่องของฟิล์ม MgF2 เนื่องจากการใช้เครื่องมือไม่เกิน 0.5 มม. และพื้นที่ทั้งหมดของข้อบกพร่องไม่เกิน 5% ของ พื้นที่รวมของกระจกครอบ
ขนาดโดยทั่วไปของกระจกครอบคือ 80.15 มม. x 40.15 มม. x 0.12 มม.
บายพาสไดโอด
บายพาสไดโอดใช้ซิลิคอนไดโอด
ในกรณีที่ไม่มีแสงและใช้กระแสไฟฟ้าลัดวงจรที่ 1.2Isc แรงดันไฟฟ้าสถานะเปิดของไดโอดซิลิคอนจะน้อยกว่า 1.0V
ในกรณีที่ไม่มีแสงและใช้แรงดันย้อนกลับ -4V กระแสไฟรั่วย้อนกลับของไดโอดซิลิคอนจะน้อยกว่า 10μA
ขนาดโดยทั่วไปคือ 10.0 มม. x 10.0 มม. x 0.17 มม
ชิ้นส่วนเชื่อมต่อระหว่างกัน
ชิ้นส่วนที่เชื่อมต่อกันเป็นตัวเชื่อมต่อที่ชุบเงินโดยมีชั้นนอกสุดของเงิน ความหนา 30μm±5μm ซึ่งเงินมีความบริสุทธิ์ไม่น้อยกว่า 99.95%
ชิ้นส่วนที่เชื่อมต่อกันมีวงแหวนคลายความเครียดซึ่งไม่บุบสลายและไม่เสียหาย
แหวนคลายความเค้นของชิ้นส่วนที่เชื่อมต่อกันผ่านการทดสอบความล้าโดยไม่แตกหัก
ขนาดทั่วไปคือ 8.0 มม. x 6.5 มม. x 0.03 มม.
เซลล์แสงอาทิตย์ GaAs สามทางแยก
เซลล์แสงอาทิตย์แบบสามแยก GaAs ประกอบด้วยเซลล์ด้านล่างของเจอร์เมเนียม (Ge) เซลล์ตรงกลางของอินเดียมแกลเลียมอาร์เซนิก (InGaAs) และเซลล์บนสุดของแกลเลียมอินเดียมฟอสฟอรัส (GaInP2) ที่เชื่อมต่อแบบอนุกรมโดยมีโครงสร้างเซลล์แบบ n/p
ประสิทธิภาพการแปลงตาแมวโดยทั่วไปคือ 30% และขนาดทั่วไปคือ 80.0 มม. x 40.0 มม. x 0.155 มม.
ครอบแก้ว
กระจกครอบทำจากกระจกครอบกันรังสีที่มีการชุบไอฟิล์ม MgF2 บนพื้นผิว ความกว้างของขอบข้อบกพร่องของฟิล์ม MgF2 เนื่องจากการใช้เครื่องมือไม่เกิน 0.5 มม. และพื้นที่ทั้งหมดของข้อบกพร่องไม่เกิน 5% ของ พื้นที่รวมของกระจกครอบ
ขนาดโดยทั่วไปของกระจกครอบคือ 80.15 มม. x 40.15 มม. x 0.12 มม.
บายพาสไดโอด
บายพาสไดโอดใช้ซิลิคอนไดโอด
ในกรณีที่ไม่มีแสงและใช้กระแสไฟฟ้าลัดวงจรที่ 1.2Isc แรงดันไฟฟ้าสถานะเปิดของไดโอดซิลิคอนจะน้อยกว่า 1.0V
ในกรณีที่ไม่มีแสงและใช้แรงดันย้อนกลับ -4V กระแสไฟรั่วย้อนกลับของไดโอดซิลิคอนจะน้อยกว่า 10μA
ขนาดโดยทั่วไปคือ 10.0 มม. x 10.0 มม. x 0.17 มม
ชิ้นส่วนเชื่อมต่อระหว่างกัน
ชิ้นส่วนที่เชื่อมต่อกันเป็นตัวเชื่อมต่อที่ชุบเงินโดยมีชั้นนอกสุดของเงิน ความหนา 30μm±5μm ซึ่งเงินมีความบริสุทธิ์ไม่น้อยกว่า 99.95%
ชิ้นส่วนที่เชื่อมต่อกันมีวงแหวนคลายความเครียดซึ่งไม่บุบสลายและไม่เสียหาย
แหวนคลายความเค้นของชิ้นส่วนที่เชื่อมต่อกันผ่านการทดสอบความล้าโดยไม่แตกหัก
ขนาดทั่วไปคือ 8.0 มม. x 6.5 มม. x 0.03 มม.
